STMicroelectronics Einfach Typ N-Kanal 1, Oberfläche 600 V Erweiterung / 7 A, 8-Pin PowerFLAT (5 x 6) HV
- RS Best.-Nr.:
- 192-4657
- Herst. Teile-Nr.:
- STL13N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 192-4657
- Herst. Teile-Nr.:
- STL13N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT (5 x 6) HV | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 415mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Breite | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT (5 x 6) HV | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 415mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Breite 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die neue MDmesh M6-Technologie umfasst die neuesten Entwicklungen der bekannten und konsolidierten MDmesh-Familie von SJ-MOSFETs. STMicroelectronics baut auf der vorherigen Generation von MDmesh-Geräten mit seiner neuen M6-Technologie auf, die eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten verfügbaren Schaltverhaltensweisen sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz der Endanwendung kombiniert.
Reduzierte Schaltverluste
Geringerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
Zener-geschützt