STMicroelectronics Einfach N-Kanal 1, Oberfläche, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage 650 V Erweiterung / 25 A 160 W,

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RS Best.-Nr.:
192-4662
Herst. Teile-Nr.:
STP26N65DM2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

190Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

160W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

35.5nC

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Source-spannung max Vgs

25V

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

15.75mm

Normen/Zulassungen

FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A

Länge

10.4mm

Breite

4.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Dieser Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET ist Teil der MDmeshTM DM2-Dioden-Serie mit schneller Wiederherstellung. Er bietet sehr niedrige Erholungsladung (Qrr) und Zeit (trr) in Kombination mit niedrigem RDS(on), womit er für die anspruchsvollsten Hochleistungswandler geeignet ist und ideal für Brückentopologien und ZVS-Phasenumrichter geeignet ist.

Schnellwiederherstellende Gehäuse-Diode

Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität

Geringer Durchlasswiderstand

Extrem hohe dv/dt-Robustheit

Zener-geschützt

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