STMicroelectronics Einfach Typ N, Typ N-Kanal 1, Oberfläche, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage 650 V Erweiterung / 25
- RS Best.-Nr.:
- 192-4662
- Herst. Teile-Nr.:
- STP26N65DM2
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 192-4662
- Herst. Teile-Nr.:
- STP26N65DM2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Oberfläche, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 160W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Normen/Zulassungen | FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Oberfläche, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 160W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.6 mm | ||
Höhe 15.75mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Normen/Zulassungen FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieser Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET ist Teil der MDmeshTM DM2-Dioden-Serie mit schneller Wiederherstellung. Er bietet sehr niedrige Erholungsladung (Qrr) und Zeit (trr) in Kombination mit niedrigem RDS(on), womit er für die anspruchsvollsten Hochleistungswandler geeignet ist und ideal für Brückentopologien und ZVS-Phasenumrichter geeignet ist.
Schnellwiederherstellende Gehäuse-Diode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Geringer Durchlasswiderstand
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zener-geschützt