STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 5.5 A 48 W, 8-Pin PowerFLAT

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192-4825P
Herst. Teile-Nr.:
STL10N60M6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

660mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

48W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.95mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Die neue M6-Technologie von MDmesh TM umfasst die neuesten Entwicklungen der bekannten und konsolidierten MDmesh Familie von SJ MOSFETs. STMicroelectronics baut auf der vorherigen Generation von MDmesh Geräten auf durch seine neue M6-Technologie, die eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten auf dem Markt kombiniert, sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz bei der Endanwendung.

Geringere Schaltverluste

Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation

Niedriger Gate-Eingangswiderstand

Zenerdioden-geschützt

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