STMicroelectronics Einfach N-Kanal 1, Oberfläche, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage 650 V Erweiterung / 25 A 160 W,
- RS Best.-Nr.:
- 192-4952P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP26N65DM2
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 192-4952P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP26N65DM2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montageart | Oberfläche, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 650 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 25 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 160 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.6 V | |
| Höhe | 15.75 mm | |
| Länge | 10.4 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 190 Ω | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 35.5 nC | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montageart Oberfläche, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 650 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 25 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 160 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.6 V | ||
Höhe 15.75 mm | ||
Länge 10.4 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 190 Ω | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 35.5 nC | ||
Breite 4.6 mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and Ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Fast-recovery body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Low on-resistance
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected