STMicroelectronics Einfach Mdmesh M6 N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage 600 V Erweiterung / 13 A 25 W,
- RS Best.-Nr.:
- 192-5002P
- Herst. Teile-Nr.:
- STF18N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 192-5002P
- Herst. Teile-Nr.:
- STF18N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | Mdmesh M6 | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montageart | Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.6mm | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie Mdmesh M6 | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montageart Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.6mm | ||
Höhe 16.4mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate input resistance
Zener-protected