Magnatec IRF250 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 30 A 150 W, 3-Pin TO-3
- RS Best.-Nr.:
- 192-7849
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF250
- Marke:
- Magnatec
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 192-7849
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF250
- Marke:
- Magnatec
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Magnatec | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 30 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V | |
| Gehäusegröße | TO-3 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 90 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Verlustleistung max. | 150 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 39.95mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 55 → 115 nC @ 10 V | |
| Breite | 26.67mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 7.87mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Magnatec | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 30 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 200 V | ||
Gehäusegröße TO-3 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 90 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Verlustleistung max. 150 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 39.95mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 55 → 115 nC @ 10 V | ||
Breite 26.67mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 7.87mm | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- GB
