onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 7 A 1,81 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 195-2460
Herst. Teile-Nr.:: NCV8406BDTRKG
Marke:: onsemi

onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 7 A 1,81 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Herst. Teile-Nr.:: NCV8406BDTRKG
Marke:: onsemi

Datasheet NCV8406BDTRKG

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	7 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	210 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2V
Gate-Schwellenspannung min.	1.2V
Verlustleistung max.	1,81 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±14 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	6.22mm
Länge	6.73mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.1V
Höhe	2.25mm
Automobilstandard	AEC-Q101
Betriebstemperatur min.	–40 °C

onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 7 A 1,81 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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