onsemi NVMJS1D5N04CL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 200 A 110 W, 8-Pin LFPAK

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195-2509
Herst. Teile-Nr.:
NVMJS1D5N04CLTWG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

NVMJS1D5N04CL

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.15mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.9 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

LFPAK8-Gehäuse, Industriestandard

PPAP-fähig

Diese Geräte sind bleifrei

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