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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	71A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	LFPAK
	Serie	NTMYS5D3N04C
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	5.3mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	16nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	50W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.15mm
	Breite	4.25 mm
	Länge	5mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 71A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße LFPAK
	Serie NTMYS5D3N04C
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.3mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 50W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.15mm
	Breite 4.25 mm
	Länge 5mm
	Automobilstandard Nein

Leistungs-MOSFET für Industrieanwendungen in einem 5x6 mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design mit hoher Wärmeleistung.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

LFPAK4-Gehäuse, Industriestandard

Diese Geräte sind bleifrei

onsemi NTMYS5D3N04C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 71 A 50 W, 4-Pin LFPAK

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