onsemi NVMYS014N06CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 36 A 37 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669
- RS Best.-Nr.:
- 195-2544
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMYS014N06CLTWG
- Marke:
- onsemi
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 30)
0,641 €
(ohne MwSt.)
0,763 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 30 - 270 | 0,641 € | 19,23 € |
| 300 - 720 | 0,626 € | 18,78 € |
| 750 - 1470 | 0,609 € | 18,27 € |
| 1500 + | 0,593 € | 17,79 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 195-2544
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMYS014N06CLTWG
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für Kfz-Anwendungen, die eine höhere Zuverlässigkeit auf Platinenebene erfordern.
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
LFPAK4-Gehäuse, Industriestandard
PPAP-fähig
Diese Geräte sind bleifrei
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
LFPAK4-Gehäuse, Industriestandard
PPAP-fähig
Diese Geräte sind bleifrei
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 36 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | LFPAK, SOT-669 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 4 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 21,5 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
| Verlustleistung max. | 37 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 9,7 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Länge | 5mm |
| Breite | 4.25mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Höhe | 1.15mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
| Automobilstandard | AEC-Q101 |
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