onsemi NTMFSC0D9N04CL N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 313 A 167 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 195-2664
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFSC0D9N04CL
- Marke:
- onsemi
Voraussichtlich ab 26.11.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
2,227 €
(ohne MwSt.)
2,65 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
10 - 90 | 2,227 € | 22,27 € |
100 - 490 | 1,77 € | 17,70 € |
500 - 990 | 1,506 € | 15,06 € |
1000 + | 1,276 € | 12,76 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 195-2664
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFSC0D9N04CL
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Dieser N-Kanal-MOSFET wird mit dem Advanced Power Trench ® -Prozess von ON Semiconductor hergestellt. Fortschritte in Silizium- und Dual Cool TM-Gehäusetechnologien wurden kombiniert, um den niedrigsten rDS(on) zu bieten und gleichzeitig eine ausgezeichnete Schaltleistung durch extrem niedrigen Wärmewiderstand zwischen den Bereichen zu gewährleisten.
Top- und Unterseite freigelegt in Standard 5 x 6 mm Stiftbelegung
Verbesserte Wärmeableitung durch Top- und Unterseite des Gehäuses
Extrem niedriger RDS(on)
Geringere Leitungsverluste
Geringere Kapazitäten und Gehäuseinduktivität
Geringere Schaltverluste
Anwendung
Synchroner Gleichrichter in AC/DC- und DC/DC-Netzteilen
Motorschalter
Lastschalter
Verbesserte Wärmeableitung durch Top- und Unterseite des Gehäuses
Extrem niedriger RDS(on)
Geringere Leitungsverluste
Geringere Kapazitäten und Gehäuseinduktivität
Geringere Schaltverluste
Anwendung
Synchroner Gleichrichter in AC/DC- und DC/DC-Netzteilen
Motorschalter
Lastschalter
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 313 A |
Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
Gehäusegröße | DFN |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 850 μΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
Verlustleistung max. | 167 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 5mm |
Länge | 5.9mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 143 @ 10 V nC |
Höhe | 0.95mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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