STMicroelectronics N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 72 A 446 W, 3-Pin TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
STWA75N60M6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

72A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

36mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

446W

Gate-Source-spannung max Vgs

25V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

106nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

21.1mm

Breite

5.1mm

Länge

15.9mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die neue MDmesh TM M6-Technologie umfasst die neuesten Fortschritte der bekannten und konsolidierten MDmesh-Familie von SJ MOSFETs. STMicroelectronics baut auf der vorherigen Generation von MDmesh Geräten auf durch seine neue M6-Technologie, die eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten auf dem Markt kombiniert, sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz bei der Endanwendung.

Geringere Schaltverluste

Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation

Niedriger Gate-Eingangswiderstand

Zenerdioden-geschützt

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