onsemi NTMFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 235 A 166 W, 8-Pin NTMFSC1D6N06CL PQFN

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

15,24 €

(ohne MwSt.)

18,14 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 150 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 901,524 €15,24 €
100 - 2401,314 €13,14 €
250 +1,139 €11,39 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
195-8747
Herst. Teile-Nr.:
NTMFSC1D6N06CL
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

235A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

NTMFS

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

91nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

166W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.95mm

Breite

5 mm

Automobilstandard

Nein

Dieser N-Kanal-MOSFET wird mit dem Advanced Power Trench ® -Prozess von ON Semiconductor hergestellt. Fortschritte in Silizium- und Dual Cool TM-Gehäusetechnologien wurden kombiniert, um den niedrigsten rDS(on) zu bieten und gleichzeitig eine ausgezeichnete Schaltleistung durch extrem niedrigen Wärmewiderstand zwischen den Bereichen zu gewährleisten.

Top- und Unterseite freigelegt in Standard 5 x 6 mm Stiftbelegung

Verbesserte Wärmeableitung durch Top- und Unterseite des Gehäuses

Extrem niedriger RDS(on)

Geringere Leitungsverluste

Geringere Kapazitäten und Gehäuseinduktivität

Geringere Schaltverluste

Anwendungen

Synchroner Gleichrichter in AC/DC- und DC/DC-Netzteilen

Motorschalter

Lastschalter

Verwandte Links