Magnatec BUZ901DP N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 16 A 250 W, 3-Pin TO-3
- RS Best.-Nr.:
- 197-9957
- Herst. Teile-Nr.:
- BUZ901DP
- Marke:
- Magnatec
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- 197-9957
- Herst. Teile-Nr.:
- BUZ901DP
- Marke:
- Magnatec
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Magnatec | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 16 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V | |
| Gehäusegröße | TO-3 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V | |
| Verlustleistung max. | 250 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -14 V, +14 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 39mm | |
| Breite | 25mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 8.7mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Magnatec | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 16 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 200 V | ||
Gehäusegröße TO-3 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V | ||
Verlustleistung max. 250 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -14 V, +14 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 39mm | ||
Breite 25mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 8.7mm | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend