Vishay AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 200-6786
- Herst. Teile-Nr.:
- SQM40020EL_GE3
- Marke:
- Vishay
Eingestellt
- RS Best.-Nr.:
- 200-6786
- Herst. Teile-Nr.:
- SQM40020EL_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Serie | AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0022 Ω, 0,0027 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.2V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Serie AEC-Q101, Automotive, TrenchFET® | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,0022 Ω, 0,0027 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.2V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Der Vishay SQM40020EL_GE3 ist ein Kfz-N-Kanal-40-V-(D-S)-MOSFET mit 175 °C.
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
100 % Rg- und UIS-getestet
AEC-Q101-qualifiziert
Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
100 % Rg- und UIS-getestet
AEC-Q101-qualifiziert