Vishay SQS484CENW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 16 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:
200-6850
Herst. Teile-Nr.:
SQS484CENW-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

SQS484CENW

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

40nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.4mm

Breite

1.12 mm

Höhe

3.4mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Vishay SQS484CENW-T1_GE3 ist ein Kfz-N-Kanal-40-V-(D-S)-175 °C-MOSFET.

TrenchFET® Leistungs-MOSFET

AEC-Q101-qualifiziert

100 % Rg- und UIS-getestet

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