STMicroelectronics SCTW35 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 240 W, 3-Pin Hip-247

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201-0860P
Herst. Teile-Nr.:
SCTW35N65G2V
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

Hip-247

Serie

SCTW35

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Maximale Verlustleistung Pd

240W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73nC

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.15mm

Länge

14.8mm

Höhe

15.75mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics 650-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET hat einen Nennstrom von 45 A und einen Ablass-/Quellenwiderstand von 45 m Ohm. Er verfügt über einen niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

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