STMicroelectronics SCTH35 Typ N-Kanal, SMD MOSFET 650 V Erweiterung / 45 A, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 201-0891
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH35N65G2V-7
- Marke:
- STMicroelectronics
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| 10 - 24 | 12,44 € |
| 25 - 49 | 11,75 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 201-0891
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH35N65G2V-7
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SCTH35 | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.055Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SCTH35 | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.055Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Der 650-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics hat einen Nennstrom von 45 A und Drain-to-Source-Widerstand 55 m Ohm. Es verfügt über einen geringen Einschaltwiderstand pro Einheitsfläche und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlusts ist fast unabhängig von der Anschlusstemperatur.
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