STMicroelectronics SCTH35 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 45 A, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 201-0891P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH35N65G2V-7
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 201-0891P
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- SCTH35N65G2V-7
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Serie | SCTH35 | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 650 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 45 A | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 0.055 Ω | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Serie SCTH35 | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 650 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 45 A | ||
Pinanzahl 7 | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 0.055 Ω | ||
The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 45A and drain to source resistance 55m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance