Infineon CoolSiC IMW120R030M1HXKSA1 N-Kanal MOSFET 1200 V / 56 A, 3-Pin PG-TO247-3
- RS Best.-Nr.:
- 201-2808
- Herst. Teile-Nr.:
- IMW120R030M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 201-2808
- Herst. Teile-Nr.:
- IMW120R030M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 56 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-3 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,056 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5.7V | |
| Transistor-Werkstoff | SiC | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 56 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1200 V | ||
Gehäusegröße PG-TO247-3 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,056 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5.7V | ||
Transistor-Werkstoff SiC | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Serie CoolSiC | ||
Der Infineon 30 mO SiC MOSFET baut auf einem Zustand des Trench-Halbleiterprozesses auf und hat dazu beitragen, Leistung mit Zuverlässigkeit zu verbinden. Er kann in Lösungen für Solarenergiesysteme, Elektronenvolt-Laden, unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV), Netzteile, Motorsteuerung und Antriebe und viele andere Anwendungen eingesetzt werden.
Leistungsfähige Gehäusediode für harte Kommutierung
Vollständig steuerbarer dV/dt
0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung
Großer Gate-Source-Spannungsbereich
Vollständig steuerbarer dV/dt
0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung
Großer Gate-Source-Spannungsbereich