onsemi NTMJS1D4N06CL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 262 A 180 W, 8-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 201-3408
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMJS1D4N06CLTWG
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 262A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | NTMJS1D4N06CL | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 180W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 103nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5mm | |
| Länge | 4.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 1.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 262A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie NTMJS1D4N06CL | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 180W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 103nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5mm | ||
Länge 4.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 1.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor 60-V-N-Kanal-MOSFET hat eine industrielle Leistung in einem 5 x 6 mm-Gehäuse und wird für kompakte und effiziente Bauweise verwendet, einschließlich hoher Wärmeleistung. Außerdem sind diese Geräte bleifrei und RoHS-konform.
Geringe Leitungsverluste
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
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