STMicroelectronics STD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 480 V / 10 A 92 W, 3-Pin TO-252

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202-4809P
Herst. Teile-Nr.:
STD13N60M6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

480V

Serie

STD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

380mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

92W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

10.1mm

Länge

6.6mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der STMicroelectronics N-Kanal-MDmesh-M6-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse hat geringere Schaltverluste. Es verfügt außerdem über einen niedrigeren RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation.

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Zenerdioden-geschützt

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