STMicroelectronics SCT N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Entleerung / 95 A 360 W, 7-Pin H2PAK
- RS Best.-Nr.:
- 202-5481P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH100N65G2-7AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 95A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | H2PAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.02Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 162nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 360W | |
| Durchlassspannung Vf | 2.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 15.25mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Breite | 4.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 95A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße H2PAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.02Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 162nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 360W | ||
Durchlassspannung Vf 2.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 15.25mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Breite 4.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität