STMicroelectronics SCT N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Entleerung / 95 A 360 W, 7-Pin H2PAK

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Herst. Teile-Nr.:
SCTH100N65G2-7AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

95A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

H2PAK

Serie

SCT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.02Ω

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-65°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

162nC

Durchlassspannung Vf

2.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Maximale Verlustleistung Pd

360W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.8mm

Länge

10.4mm

Höhe

15.25mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

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