STMicroelectronics SCT N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1200 V Entleerung / 100 A 420 W, 7-Pin H2PAK

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Herst. Teile-Nr.:
SCTW100N65G2AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCT

Gehäusegröße

H2PAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.105Ω

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

162nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Durchlassspannung Vf

2.8V

Maximale Verlustleistung Pd

420W

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Höhe

34.95mm

Breite

5.15mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.75mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

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