STMicroelectronics SCT N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Entleerung / 33 A 290 W, 3-Pin Hip-247

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Herst. Teile-Nr.:
SCTW40N120G2VAG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCT

Gehäusegröße

Hip-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.105Ω

Channel-Modus

Entleerung

Maximale Verlustleistung Pd

290W

Durchlassspannung Vf

3.4V

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.75mm

Breite

5.15mm

Höhe

34.95mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

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