- RS Best.-Nr.:
- 202-5510
- Herst. Teile-Nr.:
- STF33N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
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Produktdetails
Der STMicroelectronics N-Kanal-Leistungs-MOSFET ist Teil der MDmesh TM DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt erhältlich ist.
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 25 A |
Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
Gehäusegröße | TO-220FP |
Serie | ST |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,115 Ω |
Channel-Modus | Depletion |
Gate-Schwellenspannung max. | 4.75V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | SiC |
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