STMicroelectronics ST N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET-Module 600 V Entleerung / 25 A, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 202-5510P
- Herst. Teile-Nr.:
- STF33N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
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- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Serie | ST | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET-Module | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 600 V | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 25 A | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 0.115 Ω | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Serie ST | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET-Module | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 600 V | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 25 A | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 0.115 Ω | ||
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market.
Low gate input resistance
100% avalanche tested
Zener-protected