STMicroelectronics ST N-Kanal, THT MOSFET-Modul 600 V / 25 A, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 202-5530
- Herst. Teile-Nr.:
- STP33N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 202-5530
- Herst. Teile-Nr.:
- STP33N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 25 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Serie | ST | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,115 Ω | |
| Channel-Modus | Depletion | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.75V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | SiC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 25 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Serie ST | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,115 Ω | ||
Channel-Modus Depletion | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.75V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff SiC | ||
Der STMicroelectronics N-Kanal-Leistungs-MOSFET ist Teil der MDmesh TM DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt erhältlich ist.
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt
Zenerdioden-geschützt