STMicroelectronics ST STP33N60DM6 N-Kanal, THT MOSFET-Modul 600 V / 25 A, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 202-5530
- Herst. Teile-Nr.:
- STP33N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
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Voraussichtlich ab 30.09.2024 verfügbar.
Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
4,875 €
(ohne MwSt.)
5,801 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 2 - 8 | 4,875 € | 9,75 € |
| 10 - 18 | 3,715 € | 7,43 € |
| 20 + | 3,63 € | 7,26 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
Verpackungsoptionen:
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- 202-5530
- Herst. Teile-Nr.:
- STP33N60DM6
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der STMicroelectronics N-Kanal-Leistungs-MOSFET ist Teil der MDmesh TM DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt erhältlich ist.
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt
Zenerdioden-geschützt
Technische Daten
| Eigenschaft | Wert |
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 25 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
| Gehäusegröße | TO-220FP |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,115 Ω |
| Channel-Modus | Depletion |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.75V |
| Transistor-Werkstoff | SiC |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Serie | ST |