STMicroelectronics ST Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET-Module 600 V Entleerung / 25 A, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 202-5530
- Herst. Teile-Nr.:
- STP33N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 202-5530
- Herst. Teile-Nr.:
- STP33N60DM6
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET-Module | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Serie | ST | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.115Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET-Module | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Serie ST | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.115Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist Teil der MDmeshTM DM6-Schnellwiederherstellungsdioden-Serie. Im Vergleich zur früheren MDmesh-Schnellgeneration kombiniert der DM6 eine sehr niedrige Erholungsladung (Qrr), Erholungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhaltensweisen auf dem Markt.
100 % Avalanche-getestet
Zener-geschützt