onsemi N-Kanal NTTF Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 60 A 26 W, 12-Pin WQFN

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RS Best.-Nr.:
202-5718
Herst. Teile-Nr.:
NTTFD4D0N04HLTWG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

NTTF

Gehäusegröße

WQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

12

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Durchlassspannung Vf

0.78V

Maximale Verlustleistung Pd

26W

Transistor-Konfiguration

N-Kanal

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Breite

3.3mm

Höhe

0.75mm

Länge

3.3mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Der symmetrische on Semiconductor Dual N-Kanal MOSFET umfasst zwei spezialisierte N-Kanal MOSFETs in einem Doppelgehäuse. Der Schaltknoten wurde intern angeschlossen, um eine einfache Platzierung und Verlegung von synchronen Abwärtswandlern zu ermöglichen. Er wird in Computing-, Kommunikations-, Allzweck-Point-of-Load-Anwendungen verwendet.

Gehäuse mit niedriger Induktivität

Geringere Schaltverluste

RoHS-konform

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