STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche SiC-Leistungsmodul 1200 V Erweiterung / 55 A, 7-Pin H2PAK-7

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
204-3954P
Herst. Teile-Nr.:
SCTH50N120-7
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

SiC-Leistungsmodul

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

H2PAK-7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.065Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Ursprungsland:
CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wird unter Nutzung der fortschrittlichen, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großer Bandbreite hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Einschaltwiderstand pro Einheitsfläche und einer sehr guten Schaltleistung, die fast unabhängig von der Temperatur ist.

Sehr enge Variation des Einschaltwiderstands vs.

Temperatur

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

Niedrige Kapazität

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