STMicroelectronics SCTWA35N65G2V Typ N-Kanal, Durchsteckmontage SiC-Leistungsmodul 650 V Erweiterung / 45 A 240 W, 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 204-3959P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA35N65G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 204-3959P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA35N65G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | SiC-Leistungsmodul | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SCTWA35N65G2V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.072Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 3.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 240W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 73nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Länge | 15.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 41.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ SiC-Leistungsmodul | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SCTWA35N65G2V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.072Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 3.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 240W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 73nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Länge 15.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 41.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation von Einschaltwiderstand und Schaltverlusten ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Niedrige Kapazität
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Sehr enge Variation des Einschaltwiderstands vs Temperatur