DiodesZetex DMC2710 N/P-Kanal Dual MOSFET 20 V / 1,2 A, 900 mA, 6-Pin TSOT26
- RS Best.-Nr.:
- 206-0058
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC2710UVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 206-0058
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC2710UVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N, P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,2 A, 900 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Serie | DMC2710 | |
| Gehäusegröße | TSOT26 | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,7 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N, P | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,2 A, 900 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Serie DMC2710 | ||
Gehäusegröße TSOT26 | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,7 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der DiodesZetex 20-V-MOSFET mit komplementäragem Paarverbesserungsmodus wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 6 V mit 0,5 W Wärmeverlustleistung.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Schnelle Schaltgeschwindigkeit