DiodesZetex Doppelt DMC3060 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 3.6 A 1.16 W, 6-Pin TSOT

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RS Best.-Nr.:
206-0060
Herst. Teile-Nr.:
DMC3060LVT-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

DMC3060

Gehäusegröße

TSOT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

150mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.16W

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.9mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.6 mm

Länge

2.9mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der komplementäre 30-V-MOSFET für DiodesZetex-MOSFET mit paarweisen Anreicherungstyp wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Die Gate-Quellspannung beträgt 12 V mit einer thermischen Verlustleistung von 0,8 W.

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

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