DiodesZetex DMN3012 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10 A, 20 A, 8-Pin PowerDI3333-8
- RS Best.-Nr.:
- 206-0080
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3012LEG-7
- Marke:
- DiodesZetex
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,637 € | 16,37 € |
| 50 - 90 | 1,605 € | 16,05 € |
| 100 - 240 | 1,399 € | 13,99 € |
| 250 - 490 | 1,361 € | 13,61 € |
| 500 + | 1,329 € | 13,29 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 206-0080
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3012LEG-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 10 A, 20 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | PowerDI3333-8 | |
| Serie | DMN3012 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,012 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.1V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 10 A, 20 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße PowerDI3333-8 | ||
Serie DMN3012 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,012 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.1V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der synchrone N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 30 V wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen macht. Seine Gate-Quellspannung beträgt 10 V mit 2,2 W Wärmeverlustleistung.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Schnelle Schaltgeschwindigkeit