DiodesZetex DMN4035 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 4.6 A, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 206-0088
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN4035L-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 206-0088
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN4035L-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Serie | DMN4035 | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 40 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 4.6 A | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 0.052 Ω | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Serie DMN4035 | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 40 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 4.6 A | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 0.052 Ω | ||
- Ursprungsland:
- CN
The DiodesZetex 40V N- channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it Ideal for high-efficiency power management application. Its gate-source voltage is 20 V with 0.72 W thermal power dissipation.
Low on-resistance
Low input capacitance