DiodesZetex DMP1007 P-Kanal MOSFET 8 V / 9,8 A, 13,2 A, 9-Pin UWLB1515
- RS Best.-Nr.:
- 206-0101
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP1007UCB9-7
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 206-0101
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP1007UCB9-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 9,8 A, 13,2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 8 V | |
| Serie | DMP1007 | |
| Gehäusegröße | UWLB1515 | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0091 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.1V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 9,8 A, 13,2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 8 V | ||
Serie DMP1007 | ||
Gehäusegröße UWLB1515 | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,0091 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.1V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 9-polige P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 8 V wurde entwickelt, um die Verluste im eingeschalteten Zustand zu minimieren und extrem schnell zu schalten, was ihn ideal für eine hocheffiziente Leistungsübertragung macht. Es verwendet ein Chip-Scale-Gehäuse zur Erhöhung der Leistungsdichte durch die Kombination einer niedrigen Wärmeimpedanz mit minimaler Flächenabmessung. Seine Gate-Quellspannung beträgt 6 V mit 1,2 W Wärmeverlustleistung.
ESD-Schutz des Tores
CSP mit Abmessungen 1,5 mm x 1,5 mm
CSP mit Abmessungen 1,5 mm x 1,5 mm