DiodesZetex DMT10 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 19 A, 8-Pin PowerDI5060-8
- RS Best.-Nr.:
- 206-0139
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT10H4M5LPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 206-0139
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT10H4M5LPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 19 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060-8 | |
| Serie | DMT10 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0062 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 19 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße PowerDI5060-8 | ||
Serie DMT10 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,0062 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex 100 V wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten. Dieses Gerät ist ideal für den Einsatz in der Notebook-Akkuverwaltung und im Lastschalter. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 2,3 W Wärmeverlustleistung.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Schnelle Schaltgeschwindigkeit