DiodesZetex DMT10 DMT10H4M5LPS-13 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 19 A, 8-Pin PowerDI5060-8

RS Best.-Nr.:: 206-0139
Herst. Teile-Nr.:: DMT10H4M5LPS-13
Marke:: DiodesZetex

DiodesZetex DMT10 DMT10H4M5LPS-13 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 19 A, 8-Pin PowerDI5060-8

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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

1,784 €

(ohne MwSt.)

2,123 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	1,784 €	8,92 €
50 - 95	1,568 €	7,84 €
100 - 245	1,528 €	7,64 €
250 - 995	1,49 €	7,45 €
1000 +	1,45 €	7,25 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 206-0139
Herst. Teile-Nr.:: DMT10H4M5LPS-13
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Datasheet - DMT10H4M5LPS-13

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Der 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex 100 V wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten. Dieses Gerät ist ideal für den Einsatz in der Notebook-Akkuverwaltung und im Lastschalter. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 2,3 W Wärmeverlustleistung.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	19 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	PowerDI5060-8
Serie	DMT10
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,0062 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1

DiodesZetex DMT10 DMT10H4M5LPS-13 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 19 A, 8-Pin PowerDI5060-8

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