DiodesZetex DMT4001 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 2.6 W, 8-Pin PowerDI5060

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RS Best.-Nr.:
206-0140
Herst. Teile-Nr.:
DMT4001LPS-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

DMT4001

Gehäusegröße

PowerDI5060

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

2.6W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.15 mm

Höhe

0.9mm

Länge

6.15mm

Automobilstandard

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

Ursprungsland:
CN
Der 40-V-, 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 2,6 W Wärmeverlustleistung.

Hohe Effizienz bei der Wandlung

Niedriger RDS(ON) - minimiert Statusverluste

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