DiodesZetex DMT6017 N-Kanal, SMD MOSFET 65 V / 25,3 A, 8-Pin PowerDI3333-8
- RS Best.-Nr.:
- 206-0152
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6017LDV-7
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 206-0152
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6017LDV-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 25,3 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 65 V | |
| Gehäusegröße | PowerDI3333-8 | |
| Serie | DMT6017 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,029 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.3V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 25,3 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 65 V | ||
Gehäusegröße PowerDI3333-8 | ||
Serie DMT6017 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,029 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.3V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 65-V-, 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Seine Gate-Quellspannung beträgt 16 V mit 0,98 W Wärmeverlustleistung.
Niedriger RDS(ON) - sorgt dafür, dass die Verluste im eingeschalteten Zustand minimiert werden