DiodesZetex DMT6030 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 6,8 A, 6-Pin U-DFN2020
- RS Best.-Nr.:
- 206-0153
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6030LFDF-7
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 206-0153
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6030LFDF-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 6,8 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Serie | DMT6030 | |
| Gehäusegröße | U-DFN2020 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,035 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 6,8 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Serie DMT6030 | ||
Gehäusegröße U-DFN2020 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,035 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 6-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 60 V, wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 0,86 W Wärmeverlustleistung.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Sorgt für zuverlässigere und robustere Endanwendungen
Sorgt für zuverlässigere und robustere Endanwendungen