DiodesZetex DMTH10 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 20.1 kA 2.7 W, 8-Pin PowerDI5060
- RS Best.-Nr.:
- 206-0159P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH10H4M5LPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
55,40 €
(ohne MwSt.)
65,95 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 4.770 Einheit(en) mit Versand ab 19. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 95 | 1,108 € |
| 100 - 245 | 1,08 € |
| 250 - 995 | 1,052 € |
| 1000 + | 1,024 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 206-0159P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH10H4M5LPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20.1kA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060 | |
| Serie | DMTH10 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.7W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.15mm | |
| Höhe | 900μm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20.1kA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PowerDI5060 | ||
Serie DMTH10 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.7W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.15mm | ||
Höhe 900μm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex 100 V wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten. Dieses Gerät ist ideal für den Einsatz in der Notebook-Akkuverwaltung und im Lastschalter. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 2,7 W Wärmeverlustleistung.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
