DiodesZetex DMTH43 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 24 A 2.62 W, 8-Pin PowerDI3333
- RS Best.-Nr.:
- 206-0164P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH43M8LFG-7
- Marke:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
36,80 €
(ohne MwSt.)
43,80 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 07. Oktober 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 75 | 0,736 € |
| 100 - 225 | 0,705 € |
| 250 - 975 | 0,691 € |
| 1000 + | 0,654 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 206-0164P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH43M8LFG-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerDI3333 | |
| Serie | DMTH43 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.62W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40.1nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.25mm | |
| Länge | 3.25mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerDI3333 | ||
Serie DMTH43 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.62W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40.1nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.25mm | ||
Länge 3.25mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 40-V-, 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 2,62 W Wärmeverlustleistung.
Niedriger RDS(ON) - sorgt dafür, dass die Verluste im eingeschalteten Zustand minimiert werden
Ausgelegt für +175 °C, ideal für Umgebungen mit hohen Umgebungstemperaturen