DiodesZetex DMTH6006 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 17,8 A, 100 A, 8-Pin PowerDI5060-8
- RS Best.-Nr.:
- 206-0166
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH6006SPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH6006SPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 17,8 A, 100 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060-8 | |
| Serie | DMTH6006 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0062 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 17,8 A, 100 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße PowerDI5060-8 | ||
Serie DMTH6006 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,0062 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 60 V, wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 2,94 W Wärmeverlustleistung.
Niedriger RDS(ON) - sorgt dafür, dass die Verluste im eingeschalteten Zustand minimiert werden
Ausgelegt für +175 °C, ideal für Umgebungen mit hohen Umgebungstemperaturen
Ausgelegt für +175 °C, ideal für Umgebungen mit hohen Umgebungstemperaturen