Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 430 A 104 W, 8-Pin SO-8

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Herst. Teile-Nr.:
SIR178DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

430A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.31mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

204nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.26 mm

Länge

6.25mm

Höhe

1.12mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 20 V (D-S) MOSFET hat ein PowerPAK SO-8-Gehäuse mit 430 A Ableitstrom.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)

Führungs-RDS(ON) minimiert Leistungsverlust durch Leitung

2,5-V-Nennwerte und Betrieb bei Niederspannungs-Gate-Ansteuerung

100 % Rg- und UIS-geprüft

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