Vishay SQJ150EP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 66 A 65 W, 4-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 210-5045P
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ150EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 66A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SQJ150EP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 66A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SQJ150EP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Vishay Automotive N-Kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET hat ein PowerPAK SO-8L-Gehäuse mit 66 A Ableitstrom.
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
AEC-Q101-qualifiziert
100 % Rg- und UIS-geprüft
QGD/QGS-Verhältnis < 1 optimiert die Schalteigenschaften