STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 110 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

121,30 €

(ohne MwSt.)

144,35 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 06. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
50 - 1202,426 €
125 +1,99 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
210-8742P
Herst. Teile-Nr.:
STD15N60DM6
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

338mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15.3nC

Gate-Source-spannung max Vgs

25V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.4mm

Breite

6.2mm

Länge

6.6mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der Mesh-DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen Mesh-Schnellerzeugung kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Bridge-Topologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler verfügbar ist.

Gehäusediode mit schneller Erholung

Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation

Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Extrem hohe dv/dt-Robustheit

Zenerdioden-geschützt

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.