STMicroelectronics STWA68N65DM6 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Erweiterung / 48 A, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
212-2109
Herst. Teile-Nr.:
STWA68N65DM6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Serie

STWA68N65DM6

Kabelkanaltyp

N

Montageart

Durchsteckmontage

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

48 A

Pinanzahl

3

Gehäusegröße

TO-247

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.059 Ω

MDMesh M6 MOSFET N-CH


The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converter.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

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