STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Erweiterung / 48 A, 3-Pin TO-247

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
212-2109P
Herst. Teile-Nr.:
STWA68N65DM6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

48A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.059Ω

Channel-Modus

Erweiterung

DMesh M6 MOSFET N-CH


Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist Teil der MDmesh DM6-Schnellwiederherstellungsdioden-Serie. Im Vergleich zur früheren MDmesh-Schnellgeneration kombiniert der DM6 eine sehr niedrige Erholungsladung (Qrr), Erholungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhaltensweisen, die auf dem Markt für die anspruchsvollsten Hochleistungsbrückentopologien und den ZVS-Phase-Shift-Wandler erhältlich sind.

Schnellwiederherstellende Gehäuse-Diode

Geringerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation

Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand

100 % Avalanche-getestet

Extrem hohe dv/dt-Robustheit

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