STMicroelectronics SCTL35N65G2V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 417 W, 4-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 213-3942P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTL35N65G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Serie | SCTL35N65G2V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 67mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 417W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 3.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 8.1mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Serie SCTL35N65G2V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 67mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 417W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 3.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 8.1mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
Source sensing pin for increased efficiency