STMicroelectronics SCTL35N65G2V N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 417 W, 4-Pin PowerFLAT

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Herst. Teile-Nr.:
SCTL35N65G2V
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SCTL35N65G2V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

67mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

417W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Durchlassspannung Vf

3.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

8.1mm

Höhe

0.95mm

Länge

8.1mm

Automobilstandard

Nein

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

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