DiodesZetex DMN10H220LFDF N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 2.2 A 1.1 W, 6-Pin UDFN

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RS Best.-Nr.:
213-9152
Herst. Teile-Nr.:
DMN10H220LFDF-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

UDFN

Serie

DMN10H220LFDF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

225mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.1W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.7nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

2.05mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.05mm

Höhe

0.63mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der MOSFET der DiodesZetex DBN10H220LFDF-Serie wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen macht.

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

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